脫碳已經(jīng)成為全球的趨勢(shì)，在我國(guó)雙碳政策下，也即“碳達(dá)峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點(diǎn)，傾佳電子持續(xù)提供高品質(zhì)功率半導(dǎo)體新能源汽車(chē)連接器，在新能源汽車(chē)電控，充電樁，汽車(chē)OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)主驅(qū)，光伏逆變器，儲(chǔ)能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶(hù)深入合作，持續(xù)服務(wù)客戶(hù)的供應(yīng)鏈及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，全力支持中國(guó)新能源汽車(chē)及電力電子工業(yè)發(fā)展！

 

近年來(lái)，傾佳電子-著力推廣國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國(guó)產(chǎn)SiC-MOSFET，國(guó)產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅(qū)動(dòng)IC，自舉驅(qū)動(dòng)IC,不斷在高壓汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器，數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域拓展市場(chǎng)。除了車(chē)載應(yīng)用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開(kāi)始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車(chē)連接器分銷(xiāo)的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢(shì)，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結(jié)溫特性、高頻特性要求，也對(duì)現(xiàn)有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗方面的卓越性能，可以大大降低電力電子方面應(yīng)用的能耗。

 

隨著汽車(chē)越來(lái)越智能化，對(duì)于連接器在未來(lái)的智能汽車(chē)上，絕不會(huì)僅僅作為一個(gè)電連接點(diǎn)進(jìn)行傳輸，這個(gè)和傳統(tǒng)汽車(chē)會(huì)有非常本質(zhì)上的區(qū)別， 未來(lái)的連接器有可能會(huì)變成模塊化，其功能會(huì)隨著不同的汽車(chē)部位應(yīng)用場(chǎng)景，功能也會(huì)有所不同；同時(shí)智能駕駛的出現(xiàn)會(huì)讓連接對(duì)于傳輸?shù)姆€(wěn)定性變成強(qiáng)制條件，對(duì)于電性能的可靠性，以及其他性能都會(huì)提到更高一個(gè)要求等級(jí)；傾佳電子-專(zhuān)業(yè)代理的汽車(chē)智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車(chē)連接器，新能源汽車(chē)高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導(dǎo)電源技術(shù)轉(zhuǎn)向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導(dǎo)通損耗和碳排放。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。

 

智能駕駛系統(tǒng)需要將超聲波雷達(dá)、毫米波雷達(dá)、攝像頭、激光雷達(dá)、網(wǎng)關(guān)、VCU、天線、GPS、5G 通信等進(jìn)行互連。隨著高級(jí)別ADAS的滲透率快速提升，車(chē)載傳感器用量增加，數(shù)據(jù)傳輸要求(高速高頻大數(shù)據(jù)量)相應(yīng)提高，智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長(zhǎng)。換電連接器有望成為行業(yè)標(biāo)配，一方面因?yàn)閾Q電模式電動(dòng)車(chē)滲透率的提升，另一方面對(duì)于非換電模式的電動(dòng)車(chē)廠家采用換電方案將實(shí)現(xiàn)車(chē)電分離，有利于后期電池的升級(jí)、維護(hù)和回收。未來(lái)大量電動(dòng)車(chē)電池淘汰后，有望進(jìn)入儲(chǔ)能領(lǐng)域進(jìn)行二次利用，建立統(tǒng)一的連接器接口標(biāo)準(zhǔn)成為行業(yè)的重點(diǎn)。非補(bǔ)能形式的換電方案的車(chē)型將越來(lái)越多，未來(lái)成為行業(yè)標(biāo)配。

 

為了提高補(bǔ)能效率，大功率快充成為各車(chē)企的研發(fā)重點(diǎn)。相較于400V架構(gòu)，切換800V架構(gòu)能夠使充電時(shí)間減少一半。從400V增至 800V對(duì)連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機(jī)械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉(zhuǎn)化接口，帶動(dòng)高壓連接器單車(chē)價(jià)值量上升。要構(gòu)建800V高壓平臺(tái)，碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統(tǒng)的整體效率，達(dá)到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車(chē)?yán)m(xù)航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅(qū)系統(tǒng)的體積和重量，從而釋放更多車(chē)輛內(nèi)部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會(huì)看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降（通過(guò)減少布線、無(wú)源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析，但可能會(huì)提高效率并節(jié)省成本。

 

新能源汽車(chē)三電內(nèi)部動(dòng)力電流及信息電流錯(cuò)綜復(fù)雜，同時(shí)又因汽車(chē)領(lǐng)域特殊的安全性要求，對(duì)連接器性能側(cè)重點(diǎn)為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機(jī)械壽命長(zhǎng)、抗振動(dòng)沖擊等長(zhǎng)期處于動(dòng)態(tài)工作環(huán)境中的良好機(jī)械性能。

 

基于 SiC 的逆變器使電壓高達(dá) 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程并將充電時(shí)間縮短一半。在全球汽車(chē)電動(dòng)化的浪潮下，汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的功率電子器件作為汽車(chē)電動(dòng)化的核心部件，成為了車(chē)企和電機(jī)控制器Tire 1企業(yè)關(guān)注的熱點(diǎn)。車(chē)用功率模塊已從硅基IGBT為主的時(shí)代，開(kāi)始逐步進(jìn)入以碳化硅MOSFET為核心的發(fā)展階段。在電機(jī)控制器中用碳化硅MOS替換硅基IGBT后，會(huì)獲得電機(jī)控制器的效率的提升，NEDC工況下，對(duì)電池續(xù)航的貢獻(xiàn)提升在3%-8%之間，所以電控應(yīng)用對(duì)碳化硅器件的需求最為迫切。同時(shí)，在國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)市場(chǎng)大力推進(jìn)適應(yīng)高壓快充技術(shù)的高壓平臺(tái)上，硅基IGBT應(yīng)對(duì)起來(lái)就非常吃力，取而代之的是碳化硅MOS。這更加確定了碳化硅功率器件在下一代電控系統(tǒng)中的核心和不可替代性地位。目前新的設(shè)計(jì)SiC模塊的設(shè)計(jì)方向是結(jié)構(gòu)緊湊更緊湊，通過(guò)采用雙面銀燒結(jié)和銅線鍵合技術(shù)，以及氮化硅高性能AMB陶瓷板、用于液冷型銅基PinFin板、多信號(hào)監(jiān)控的感應(yīng)端子（焊接、壓接兼容）設(shè)計(jì)，努力往低損耗、高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高電流密度、高可靠性等方向努力。通過(guò)好的設(shè)計(jì)和先進(jìn)的工藝技術(shù)確保碳化硅MOSFET性能優(yōu)勢(shì)在設(shè)備中得到最大程度發(fā)揮。